硫化物固态电池界面工程:采用TiNb2O7负极、空位缺陷优化硅碳复合材料及钛掺杂正极表面修饰
关键进展包括:采用纤丝化PTFE中间层实现TiNb2O7氧化物负极的固态界面工程;双粘合剂SEBS浆料体系构建机械强韧的硫化物隔膜;聚合物电解质层中银纳米粒子抑制枝晶侵入。硅负极制造技术突破:通过双碱性气体活化实现可控空位缺陷工程化,采用优化热控的连续输送反应器CVD工艺,以及含硅涂层桥接的双粒子系统。正极合成创新:钛掺杂碳酸锂表面修补技术,三价铁掺杂使尖晶石型LNMO中锰溶解量降低5倍,优化烧结工艺使NCM811实现高镍氧化比。