多孔碳(BET 2,050 m2/g)中的单硅烷衍生的非晶硅,在8 kPa压力下通过乙炔分解使Si–C键浓缩,部分以二甲基硅氧烷形式存在于≤50 nm的表面层中
容量保持率:85% @500次循环,4 C充电
小米汽车技术
硅/石墨浆料浸渍于互不相溶的环己烷/叔丁醇体系中,在旋转冷却辊上经冷冻铸造形成分支、发散的孔道(曲折度1.5),并通过碳化聚丙烯腈进行固化
容量保持率:88% @1,000次循环,1 C循环
松下
以10 nm MgO为模板制备的沥青衍生多孔碳(孔体积2.8 cm3/g),通过单硅烷CVD法负载硅至50质量百分比Si,同时保持内部孔道开放
硅沉积后的残余孔体积:1.66 cm3/g